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語(yǔ)言：
1.晶界分散技藝
傳統燒結磁體的工藝：按肯定的配比熔煉和鍛造制作出小片的NdFeB，而后詐騙氫爆和精磨制成2-10μm的粉末微粒，再壓成磁場(chǎng)定向的小塊，而后燒結退火，再把燒結塊按需求的尺寸切割成磁體，表面研磨、倒角，表面鍍防腐層。傳統工藝中，鏑(Dy)和鋱(Tb)在熔煉工序加入，重稀土元素在終的磁體中會(huì )平均分散，全部永磁體截面的矯頑力相同。
晶界分散技藝(GBD)：在切割和研磨階段，在磁體表面上敷上富含鏑或鋱的化合物，而后經(jīng)過(guò)一個(gè)24~36小時(shí)的熱處理工藝將重稀土元素分散進(jìn)永磁體。(詳細的晶界分散工藝技藝品種還很多，每個(gè)永磁體廠(chǎng)家都有所差異)
晶界分散技藝的磁體含有更少的重稀土元素(HRE)，因為在基合金中的重稀土含量不妨顯赫減少，在某些狀況下不妨消除，平常在0–4%的分量百分比界線(xiàn)內(wt%)，同時(shí)分散平常是在低于1%的Tb或Dy的品質(zhì)分數界線(xiàn)內進(jìn)行的。
晶界分散技藝不妨運用1/3~1/2的傳統工藝運用的鏑或鋱的用量抵達和傳統工藝磁體相同高的剩磁(Br)和矯頑力(Hcj)。
2.EV/HEV電機轉子特點(diǎn)
是一張有限元法(FEA)計算的高退磁磁場(chǎng)下的轉子永磁體的磁密場(chǎng)圖。不妨看出在角落和邊緣位置有較高的退磁磁場(chǎng)，因此在這些位置需求更多的抗退磁保護。
GBD工藝剛好不妨提供這種保護，因為在角落和邊緣位置HRE增添，而且這種保護的本錢(qián)相比于傳統工藝更低。
3.分散永磁磁體中稀土元素的分散
電子探針顯微鏡下的鋱分散磁體截面map：
顯現4個(gè)面有顯然的Tb層，和角落部分增添的Tb分散特征;顯現此外兩個(gè)面沒(méi)有Tb分散產(chǎn)生，注腳這些的滲透是從四個(gè)面進(jìn)行的。顯現同一個(gè)面內的Tb分散相當不平均。
整體上分散紀律：角落>邊緣>中心，晶界>地區>晶粒。